--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 衰減范圍 0.5 dB (LSB)步進(jìn)至31.5 dB
- 步長(zhǎng)誤差 ±0.5 dB(典型值)
- 低插入損耗 2.8 dB(典型值,4.0 GHz)
- VEE = −5 V 時(shí)具有高線性度
- 輸入 P0.1dB 25 dBm(典型值
- 輸入 IP3 45 dBm(典型值)
- 高RF輸入功率處理 25 dBm(最大值
- 低相對(duì)相位 30° (6.0 GHz)
- 單電源運(yùn)行 −3 V 至 −5 V
- 裸片尺寸 1.390 mm × 0.770 mm × 0.102 mm
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HMC424A芯片是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數(shù)字衰減器單芯片微波集成電路(MMIC),以0.5 dB步長(zhǎng)提供31.5 dB的衰減控制范圍。
HMC424A芯片在0.1 GHz至13.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)具有出色的衰減精度(±0.2 dB + 3%的衰減狀態(tài))和高輸入線性度,典型插入損耗≤4.2 dB。衰減器位值為0.5 (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,總衰減為31.5 dB,典型步長(zhǎng)誤差為±0.5 dB。
該器件允許用戶通過(guò)在0 V至VEE之間切換的六個(gè)并行控制輸入對(duì)衰減狀態(tài)進(jìn)行編程設(shè)定。
HMC424A芯片采用?3 V至?5 V單個(gè)負(fù)電源供電,需要外部驅(qū)動(dòng)器以便連接CMOS/晶體管對(duì)晶體管邏輯(TTL)接口。
HMC424A芯片采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的9焊盤裸片封裝。

衰減范圍:0.5 dB (LSB)步進(jìn)至31.5 dB
步長(zhǎng)誤差:±0.5 dB(典型值)
低插入損耗:2.8 dB(典型值,4.0 GHz)
VEE = ?5 V 時(shí)具有高線性度
輸入 P0.1dB:25 dBm(典型值)
輸入 IP3:45 dBm(典型值)
高RF輸入功率處理:25 dBm(最大值)
低相對(duì)相位:30° (6.0 GHz)
單電源運(yùn)行:?3 V 至 ?5 V
裸片尺寸:1.390 mm × 0.770 mm × 0.102 mm
應(yīng)用
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
微波無(wú)線電和甚小孔徑終端(VSAT)
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