--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 衰減范圍 0.5 dB (LSB)步進(jìn)至31.5 dB
- 步長(zhǎng)誤差 ±0.5 dB(典型值)
- 低插入損耗 2.8 dB(4 GHz時(shí))
- VEE = −3 V 時(shí)具有高線性度
- 輸入P0.1dB 22 dBm(典型值)
- 輸入IP3 45 dBm(典型值)
- 高RF輸入功率處理 25 dBm(最大值)
- 低相對(duì)相位 30°(典型值,6.0 GHz)
- 單電源供電 −3 V至−5 V
- 封裝 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HMC424ALP3E是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數(shù)字衰減器,采用低成本、無引腳表貼封裝,以0.5 dB步長(zhǎng)提供31.5 dB的衰減控制范圍。
HMC424ALP3E在0.1 GHz至13.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)具有出色的衰減精度(±0.2 dB + 4%的衰減狀態(tài))和高輸入線性度,典型插入損耗小于4 dB。衰減器位值為0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,總衰減為31.5 dB,典型步長(zhǎng)誤差為±0.5 dB。
該器件允許用戶通過在0 V至VEE之間切換的六個(gè)并行控制輸入對(duì)衰減狀態(tài)進(jìn)行編程設(shè)定。
HMC424ALP3E采用?3 V至?5 V單個(gè)負(fù)電源供電,需要外部電平轉(zhuǎn)換器以便連接CMOS/晶體管對(duì)晶體管邏輯(TTL)接口。
HMC424ALP3E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型、3 mm × 3 mm、16引腳引腳架構(gòu)芯片級(jí)封裝(LFCSP)。

衰減范圍:0.5 dB (LSB)步進(jìn)至31.5 dB
步長(zhǎng)誤差:±0.5 dB(典型值)
低插入損耗:2.8 dB(4 GHz時(shí))
VEE = ?3 V 時(shí)具有高線性度
輸入P0.1dB:22 dBm(典型值)
輸入IP3:45 dBm(典型值)
高RF輸入功率處理:25 dBm(最大值)
低相對(duì)相位:30°(典型值,6.0 GHz)
單電源供電:?3 V至?5 V
16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
應(yīng)用
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