--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 漏源電壓 1200V
- 柵極-源極電壓 -10/+25V
- 脈沖漏極電流 80A
- 功耗 192W
- 工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to +150?C
- 焊接溫度 260?C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
C2M0080120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化,可用于 UPS 等大功率應用;電機控制和驅(qū)動;開關(guān)電源;太陽能和儲能系統(tǒng);電動汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多?;诘谌夹g(shù);各種各樣的導通電阻和封裝選項使設計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對,為要求苛刻的應用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。

優(yōu)點
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 雪崩堅固性
? 無鹵素,符合 RoHS 標準
應用
? 太陽能逆變器
? 開關(guān)模式電源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 電池充電器
? 電機驅(qū)動
? 脈沖電源應用
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