CPM3-1200-0013A是1200 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它們針對(duì)不間斷電源 (UPS) 等大功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；電機(jī)驅(qū)動(dòng)器；開(kāi)關(guān)電源；太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)；電動(dòng)汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多?；谧钚碌牡谌夹g(shù)；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設(shè)計(jì)，以提高硬開(kāi)關(guān)性能。軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率的強(qiáng)大組合。從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統(tǒng)尺寸；重量; 設(shè)計(jì)復(fù)雜性；大多數(shù)大功率應(yīng)用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項(xiàng)和芯片布局為模塊設(shè)計(jì)人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。
好處
以更低的開(kāi)關(guān)損耗提高系統(tǒng)效率
減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
增加功率密度
易于并行并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容
特征
高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) 過(guò)溫穩(wěn)定性
具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
具有低輸出電容的高速開(kāi)關(guān)
溫度范圍內(nèi)的低傳導(dǎo)損耗
雪崩堅(jiān)固性
應(yīng)用
固態(tài)斷路器
可再生能源逆變器
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
開(kāi)關(guān)模式電源
不間斷電源 (UPS)
高性能焊接電源
高壓系統(tǒng)的輔助電源
阻斷電壓:1200V
電阻：13hR
柵極電荷總數(shù)：260nC
輸出電容：284pF
反向恢復(fù)電荷：1800nC
反向恢復(fù)時(shí)間 ：43納秒
最高結(jié)溫：175°C
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