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器件參數(shù)
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EDA模型
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開發(fā)資料
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技術(shù)文章
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社區(qū)問答
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現(xiàn)貨價格
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替代物料
AFGHL50T65SQDC
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 650V A
Datasheet:
在線詢價
器件參數(shù)
Function
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集電極電流
100 A
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集電極發(fā)射極飽和電壓
2.1 V
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集電極-發(fā)射極擊穿電壓
650 V
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柵極電荷
94 nC
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晶體管類型
Field Stop
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)