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LSK389D SOIC 8L

制造商：Analog Devices

描述：FET類型:2個N溝道;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):40V;功率(Pd):400mW;

在線詢價

器件參數(shù)

Function

  • 輸入偏置電容@10V
    25 pF
  • 柵源極擊穿電壓
    40 V
  • 功率耗散
    400 mW
  • FET類型
    2個N溝道

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 制造商封裝
    SOIC-8
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料