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HGT1S12N60A4DS

制造商：ON Semiconductor

描述：Single Igbt, 600V, 54A; Continuous Collector Current:54A; Power Dissipation:167W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Msl:msl 1 - Unlimited Rohs Compliant: Yes

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    54 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    2.7 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    600 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    120 nC
  • 接通延遲時間
    17 μs
  • 反向恢復時間
    18 ns
  • 功率耗散
    167 W
  • 關閉延遲時間
    96 μs

Physical

  • 重量
    0.046296 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-263

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料