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AFGY120T65SPD

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR

Datasheet:

在線詢價
  • Element14
    Element14
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    160 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    2.05 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    650 V
  • 柵極電荷
    125 nC
  • 晶體管類型
    Trench Field Stop
  • 反向恢復時間
    107 ns

Physical

  • 安裝方式
    DIP
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無鉛
    Y
  • RoHS
    Yes
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料