制造商:HXY MOSFET
描述:該N溝道MOSFET具有70A的連續(xù)漏極電流能力,最大漏源電壓為100V,導通電阻低至8.5毫歐,在柵源電壓不超過20V的條件下穩(wěn)定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗,提升整體效率,適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉換、電機驅動及高頻開關等應用場景。器件結構優(yōu)化了開關特性,在保持高可靠性的同時,支持快速切換操作,滿足多種電子系統中對高效能功率開關的需求。
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