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FGY75T95LQDT

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 950V 75A

Datasheet：

在線詢價

器件參數

Function

集電極電流

150 A
集電極發(fā)射極飽和電壓

1.69 V
集電極-發(fā)射極擊穿電壓

950 V
柵極電荷

663.3 nC
晶體管類型

Trench Field Stop
反向恢復時間

259 ns

Physical

安裝方式

DIP
制造商封裝

TO-247-3

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庫存量：0

預計交期：

數量

單價

總價(階梯最低數量總價)

EDA模型

下載zip

原理圖符號

封裝

3D模型

替代物料

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