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FCP190N65F

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 閾值電壓
    5 V
  • 配置
    Single
  • 通道數量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    20.6 A
  • 輸入偏置電容
    3.225 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    190 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導通電阻@10V,10A
    190 mΩ
  • 漏源導通電阻
    190 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@2mA
    5 V
  • 柵極電荷
    78 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    25 ns
  • 功率耗散
    208 W
  • 關閉延遲時間
    62 ns
  • 下降時間
    4.2 ns
  • 上升時間
    11 ns

Physical

  • 重量
    0.063493 oz
  • 配置
    Single
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    800
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    16.3 mm
  • 長度
    10.67 mm
  • 寬度
    4.7 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料