產(chǎn)品
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SGN21H180M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:20
產(chǎn)品型號(hào):SGN21H180M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào): SGN21H180M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
SGN19H240M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:12
產(chǎn)品型號(hào):SGN19H240M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào): SGN19H240M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
SGN19H181M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:06
產(chǎn)品型號(hào):SGN19H181M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào):SGN19H181M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
SGNH240M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 18:24
產(chǎn)品型號(hào):SGNH240M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào):SGNH240M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FLM1011-20F X波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-20 18:16
產(chǎn)品型號(hào):FLM1011-20F 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào):FLM1011-20F 名稱:內(nèi)部匹配高功率GaAs FET 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FLM1011-15F X波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-20 18:10
產(chǎn)品型號(hào):FLM1011-15F 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào):FLM1011-15F 名稱:內(nèi)部匹配高功率GaAs FET 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FLM0910-25F X波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-20 18:00
產(chǎn)品型號(hào):FLM0910-25F 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào):FLM0910-25F 名稱:內(nèi)部匹配高功率GaAs FET 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FLM0910-15F X波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-20 17:52
產(chǎn)品型號(hào):FLM0910-15F 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào):FLM0910-15F 名稱:內(nèi)部匹配高功率GaAs FET 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FLM0910-12F X波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-20 12:20
產(chǎn)品型號(hào):FLM0910-12F 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào):FLM0910-12F 名稱:內(nèi)部匹配高功率GaAs FET 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FLM0910-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-20 12:12
產(chǎn)品型號(hào):FLM0910-8F 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào):FLM0910-8F 名稱:內(nèi)部匹配高功率GaAs FET 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT