產(chǎn)品
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C2M0280120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:23
產(chǎn)品型號：C2M0280120D 漏源電壓:：1200V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：：20A 功耗：69.4W -
C2M0160120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:16
產(chǎn)品型號：C2M0160120D 漏源電壓：1200 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：40A 功耗：125W -
C3M0160120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:08
產(chǎn)品型號：C3M0160120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓動態(tài):：-4/+15V 脈沖漏極電流：250A 功耗：556W -
CGH27030S-AMP1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-25 10:57
產(chǎn)品型號：CGH27030S-AMP1 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:56
產(chǎn)品型號：CGH27030S 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH27030P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:54
產(chǎn)品型號：CGH27030P 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:45
產(chǎn)品型號：CGH25120F 頻率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分貝增益 PAVE功率：20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR PAVE效率：20 W PAVE 時效率為 30 % 應(yīng)用特性：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CGH21240F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-25 10:32
產(chǎn)品型號：CGH21240F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 PAVE功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 時效率為 33% 應(yīng)用特性：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CGH21240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:30
產(chǎn)品型號：CGH21240F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 時效率為 33% 應(yīng)用特點：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CGH21120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-25 10:16
產(chǎn)品型號：CGH21120F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 時效率為 35 % 應(yīng)用：可應(yīng)用高度 DPD 校正