91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

SP8M21TB-VB一款SOP8封裝N+P—Channel場效應(yīng)MOS管

型號: SP8M21TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8封裝
  • 溝道 N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**SP8M21TB-VB**

**絲?。?* VBA5415

**品牌:** VBsemi

**參數(shù):**
- 溝道類型:N+P—Channel
- 最大承受電壓:±40V
- 最大電流:8A(正向)/-7A(反向)
- 開態(tài)電阻:RDS(ON)=15mΩ @ VGS=10V;RDS(ON)=19mΩ @ VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=±1.8V

**封裝:** SOP8

**詳細(xì)參數(shù)說明:**

SP8M21TB-VB是一款高性能的N+P溝道MOSFET,專為在±40V的最大承受電壓下提供卓越的電源和電流控制而設(shè)計(jì)。關(guān)鍵參數(shù)包括8A的正向電流和-7A的反向電流能力,以及在VGS=10V和VGS=20V時分別為15mΩ和19mΩ的低開態(tài)電阻。閾值電壓為±1.8V,適用于各種電源和電流控制應(yīng)用。

**應(yīng)用簡介:**

SP8M21TB-VB在多個領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,提供可靠的電源和電流控制功能。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電動車輛(EV)驅(qū)動:** 由于其高電壓和電流承受能力,SP8M21TB-VB可用于電動車輛驅(qū)動系統(tǒng),作為功率開關(guān)用于電機(jī)驅(qū)動和電流控制。

2. **電源開關(guān)模塊:** 在電源開關(guān)模塊中,SP8M21TB-VB可以用于電源開關(guān)和調(diào)光電路,提供高效的電源控制解決方案。

3. **太陽能逆變器:** 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,SP8M21TB-VB可用于逆變器模塊,實(shí)現(xiàn)太陽能電能的高效轉(zhuǎn)換。

4. **工業(yè)電源系統(tǒng):** 在各類工業(yè)電源系統(tǒng)中,SP8M21TB-VB可用于開關(guān)電源、電源逆變器和電源調(diào)整模塊,提供高效、穩(wěn)定的電源輸出。

SP8M21TB-VB的卓越性能使其成為各種電源和電流控制應(yīng)用的理想選擇,確保系統(tǒng)在不同領(lǐng)域中取得卓越的性能表現(xiàn)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    527瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    449瀏覽量