--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
AM3456NE-T1-PF-VB 是 VBsemi 品牌的一款 N-Channel 溝道 MOSFET,具有以下主要參數(shù):
- 工作電壓:30V
- 典型電流:6A
- 開通電阻:30mΩ @ VGS=10V
- 門極—源極電壓(閾值電壓):Vth=1.2V
- 封裝:SOT23-6

產(chǎn)品簡介:
AM3456NE-T1-PF-VB 是一款性能優(yōu)異的 N-Channel MOSFET,適用于各種低壓應(yīng)用場景。其低開通電阻和高電流承受能力使其成為廣泛應(yīng)用于各種模塊和電路設(shè)計中的理想選擇。無論是用于電源管理、驅(qū)動器還是開關(guān)應(yīng)用,AM3456NE-T1-PF-VB 都能提供可靠的性能和穩(wěn)定的工作。
詳細(xì)參數(shù)說明:
1. 工作電壓(VDS):30V
2. 典型電流(ID):6A
3. 開通電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V
4. 閾值電壓(Vth):1.2V
5. 封裝:SOT23-6
產(chǎn)品適用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. 電源管理模塊:AM3456NE-T1-PF-VB 可以應(yīng)用于低壓電源管理模塊,如電池管理系統(tǒng)和可充電設(shè)備的充電電路。
2. 電機驅(qū)動器:其高電流承受能力和低開通電阻使其成為電機驅(qū)動器電路中的理想選擇,適用于各種類型的電機控制。
3. 開關(guān)電路:在開關(guān)電源和開關(guān)轉(zhuǎn)換器中,AM3456NE-T1-PF-VB 的優(yōu)異特性可以確保高效能的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的開關(guān)操作。
4. LED 燈具驅(qū)動:對于 LED 燈具的驅(qū)動電路,該器件能夠提供可靠的功率傳輸和穩(wěn)定的電流控制,確保 LED 光源的穩(wěn)定亮度。
綜上所述,AM3456NE-T1-PF-VB 適用于諸多領(lǐng)域和模塊,包括但不限于電源管理、電機驅(qū)動、開關(guān)電路和 LED 燈具驅(qū)動等應(yīng)用場景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12