--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個N+P—Chann
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介:
AM3850C-T1-PF-VB是VBsemi品牌的一款N+P—Channel溝道場效應(yīng)管,采用SOT23-6封裝。它具有雙溝道設(shè)計,能夠承受最大±20V的電壓,電流輸出范圍為7A(正向)和4.5A(反向)。其在4.5V時的導(dǎo)通電阻為20mΩ,在20V時為70mΩ。門源極電壓為4.5V時,閾值電壓為0.71V;當(dāng)門源極電壓為20V時,閾值電壓為-0.81V。
詳細(xì)參數(shù)說明:
- 型號:AM3850C-T1-PF-VB
- 品牌:VBsemi
- 電壓承受范圍:±20V
- 輸出電流范圍:7A(正向),4.5A(反向)
- 導(dǎo)通電阻:20mΩ(VGS=4.5V),70mΩ(VGS=20V)
- 閾值電壓:0.71V(VGS=4.5V),-0.81V(VGS=20V)
- 封裝:SOT23-6

適用領(lǐng)域和模塊示例:
1. 電源管理模塊:由于AM3850C-T1-PF-VB能夠承受較高的電壓并具有較大的電流輸出范圍,因此適用于電源管理模塊中的電壓調(diào)節(jié)和電流控制功能。例如,可用于開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動模塊:該場效應(yīng)管的低導(dǎo)通電阻和高電流輸出能力使其成為電機(jī)驅(qū)動模塊中的理想選擇。在電機(jī)驅(qū)動器中,它可以用于電流控制、電機(jī)速度調(diào)節(jié)等功能。
3. 電源逆變器:AM3850C-T1-PF-VB適用于電源逆變器模塊,用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。其高電壓承受范圍和較大的電流輸出使其能夠處理逆變器中的高功率要求。
4. LED驅(qū)動模塊:在LED照明系統(tǒng)中,該型號的場效應(yīng)管可用于LED驅(qū)動模塊中的電流調(diào)節(jié)和亮度控制,確保LED的穩(wěn)定工作狀態(tài)。
綜上所述,AM3850C-T1-PF-VB適用于各種需要高電壓承受能力和大電流輸出能力的電路模塊中,包括但不限于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、電源逆變和LED驅(qū)動等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12