--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個(gè)N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
以下是關(guān)于VBsemi品牌的BSL316C-VB N+P-Channel溝道場效應(yīng)管的詳細(xì)信息:
### 產(chǎn)品簡介
BSL316C-VB是一款雙通道(N+P)場效應(yīng)管,由VBsemi生產(chǎn),封裝為SOT23-6。它集成了兩個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道,適用于多種電源管理和功率控制應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- 工作電壓:±20V
- N溝道連續(xù)漏極電流:7A
- P溝道連續(xù)漏極電流:-4.5A
- N溝道開態(tài)電阻:20mΩ @ VGS=4.5V
- P溝道開態(tài)電阻:70mΩ @ VGS=4.5V
- 高電壓門源電壓:20V
- 閾值電壓(N溝道):0.71V
- 閾值電壓(P溝道):-0.81V
- 封裝類型:SOT23-6

### 適用領(lǐng)域和模塊
BSL316C-VB具有廣泛的適用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理模塊**:雙通道設(shè)計(jì)使得該器件特別適用于電源管理模塊,能夠同時(shí)控制不同的電源通道,如開關(guān)電源、穩(wěn)壓器等,提供穩(wěn)定的電壓輸出和高效的功率控制。
2. **驅(qū)動(dòng)器**:可用作各種類型的驅(qū)動(dòng)器,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、LED驅(qū)動(dòng)器等,提供高效的功率輸出和精準(zhǔn)的控制能力。
3. **電池管理**:在便攜式電子產(chǎn)品、無線設(shè)備等領(lǐng)域中,該器件可用于電池管理系統(tǒng),包括充放電管理、電池保護(hù)等功能,以確保電池的安全和穩(wěn)定性。
4. **電源開關(guān)**:可用于各種電源開關(guān)系統(tǒng),例如DC-DC變換器、開關(guān)穩(wěn)壓器等,提供高效的功率調(diào)節(jié)和電壓穩(wěn)定性。
5. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人技術(shù)等領(lǐng)域中,BSL316C-VB可用于控制各種類型的電路,如開關(guān)電路、電機(jī)控制等。
綜上所述,BSL316C-VB是一款功能強(qiáng)大、應(yīng)用廣泛的N+P-Channel場效應(yīng)管,適用于電源管理、驅(qū)動(dòng)器、電池管理、電源開關(guān)和工業(yè)控制等多種領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛