--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
DMG8880LK3-VB 是 VBsemi 生產(chǎn)的 N-Channel 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。它具有正壓 60V、電流 45A 和 RDS(ON) 為 24mΩ@VGS=10V 的特性。絲印為 VBE1638,門極-源極電壓 VGS=20V,閾值電壓 Vth=1.8V。
二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- 型號(hào): DMG8880LK3-VB
- 品牌: VBsemi
- MOSFET 類型: N-Channel
- 最大正壓: 60V
- 最大電流: 45A
- 開啟電阻: RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V
- 門極-源極電壓: VGS=20V
- 閾值電壓: Vth=1.8V
- 封裝: TO252
- 絲印: VBE1638

三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:
1. 電源管理系統(tǒng):DMG8880LK3-VB 適用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)和電流控制,例如便攜式設(shè)備、家用電器和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的電源模塊。
2. 電動(dòng)車控制系統(tǒng):在電動(dòng)車的控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池管理器和充電器的功率開關(guān),實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和電動(dòng)車控制。
3. 工業(yè)電源系統(tǒng):在工業(yè)設(shè)備和機(jī)械中,DMG8880LK3-VB 可以用于開關(guān)電源、電流控制和電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)器,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電路保護(hù)。
4. LED 照明應(yīng)用:由于其低開啟電阻和高電流能力,該 MOSFET 適用于 LED 驅(qū)動(dòng)器和照明系統(tǒng)中的功率開關(guān),實(shí)現(xiàn)高亮度照明和顏色控制。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛