--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介:**
ELM16601EA-N-VB 是 VBsemi 品牌的一款雙通道 MOSFET,包含兩個 N 溝道和兩個 P 溝道 MOSFET,適用于雙極性應(yīng)用場景。該器件具有寬廣的工作電壓范圍,可達(dá)到 ±20V,適用于各種中低功率應(yīng)用。采用 SOT23-6 封裝,具有小型化、低成本的特點(diǎn),適用于空間受限的應(yīng)用場景。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
1. 工作電壓(VDS):±20V
2. 典型電流(ID):7A(N 溝道)/ -4.5A(P 溝道)
3. 開通電阻(RDS(ON)):20mΩ(N 溝道 @ VGS=4.5V)/ 70mΩ(P 溝道 @ VGS=4.5V)
4. 閾值電壓(Vth):0.71V(N 溝道)/ -0.81V(P 溝道)
5. 封裝:SOT23-6

**產(chǎn)品適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
1. **電源管理模塊:** ELM16601EA-N-VB 適用于雙極性電源管理模塊,如便攜式電子設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)和通信設(shè)備中的電源管理模塊。
2. **信號開關(guān):** 在需要控制雙極性信號的開關(guān)電路中,該器件可以作為信號開關(guān),實(shí)現(xiàn)雙極性信號的控制和處理。
3. **電流檢測:** 該器件可以用于電流檢測電路,實(shí)現(xiàn)對雙極性電流的檢測和控制,如電池充放電管理系統(tǒng)和電動機(jī)驅(qū)動器中的電流檢測。
4. **自動控制系統(tǒng):** 在需要雙極性信號控制的自動控制系統(tǒng)中,ELM16601EA-N-VB 可以作為開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)對系統(tǒng)的自動控制和調(diào)節(jié)功能。
綜上所述,ELM16601EA-N-VB 適用于各種雙極性應(yīng)用場景,包括但不限于電源管理、信號開關(guān)、電流檢測和自動控制系統(tǒng)等領(lǐng)域和模塊。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它