--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**型號:** HM40P04K-VB
**品牌:** VBsemi
**絲印:** VBE2412
**封裝:** TO252
**產(chǎn)品簡介:**
HM40P04K-VB是一款P溝道場效應(yīng)管,適用于負(fù)載開關(guān)和功率控制應(yīng)用。具有-40V的漏極-源極電壓承受能力和-65A的漏極電流承受能力。此外,它具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和負(fù)閾值電壓(Vth),適用于各種負(fù)載控制場合。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 漏極-源極電壓(VDS):-40V
- 漏極電流(ID):-65A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth):-1.6V
- 封裝類型:TO252

**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
1. **電源開關(guān)**:HM40P04K-VB適用于各種電源開關(guān)應(yīng)用,如開關(guān)電源、逆變器等。其高漏極電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其成為電源開關(guān)電路的理想選擇。
2. **電動車電池管理**:在電動車電池管理系統(tǒng)中,需要處理高電壓和電流,并保持高效率。HM40P04K-VB可用于電動車充電器、電池管理系統(tǒng)等模塊中,以實現(xiàn)高效、安全的充電和放電。
3. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,需要高性能的功率器件來控制各種負(fù)載。HM40P04K-VB可用于工業(yè)控制器、PLC(可編程邏輯控制器)和變頻器等模塊中,以實現(xiàn)精確的功率控制和調(diào)節(jié)。
4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,需要耐高溫、高電壓和高電流的器件。HM40P04K-VB可用于汽車電動窗控制、電動座椅調(diào)節(jié)和車載充電器等模塊中。
綜上所述,HM40P04K-VB適用于電源開關(guān)、電動車電池管理、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域和模塊,具有廣泛的應(yīng)用前景,能夠提供穩(wěn)定、高效的功率控制。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12