--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT89-3封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
## 產(chǎn)品簡介:
**型號:** HM5N06APR-VB
**絲?。?* VBI2658
**品牌:** VBsemi
**封裝:** SOT89-3
HM5N06APR-VB是一款P溝道MOSFET,具有-60V的漏極-源極電壓承受能力和-5A的漏極電流承受能力。其特性包括低導(dǎo)通電阻和適當(dāng)?shù)拈撝惦妷海m用于多種電路設(shè)計和應(yīng)用場景。
## 參數(shù)說明:
- **P溝道溝道MOSFET**
- **漏極-源極電壓(VDS):** -60V
- **漏極電流(ID):** -5A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 58mΩ @ VGS=10V, 20V
- **閾值電壓(Vth):** 1~3V
- **封裝類型:** SOT89-3

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **電源逆變器:** HM5N06APR-VB可用于電源逆變器中的功率開關(guān)電路,實現(xiàn)電源的轉(zhuǎn)換和逆變,常見于UPS(不間斷電源)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。
2. **電池保護(hù):** 在電池保護(hù)電路中,HM5N06APR-VB可用于實現(xiàn)過充、過放電保護(hù),以及短路保護(hù),確保電池系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定性。
3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器:** HM5N06APR-VB適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制電路,可用于調(diào)節(jié)電壓和電流,適用于各種便攜式電子設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)。
4. **電動車電池管理系統(tǒng)(BMS):** 在電動車電池管理系統(tǒng)中,HM5N06APR-VB可用于電池的充放電管理和保護(hù),確保電池組的安全性和性能。
5. **電流控制:** 作為電流控制器的一部分,HM5N06APR-VB可用于實現(xiàn)精確的電流控制,例如電流源、電流鏡等電路。
HM5N06APR-VB的特性使其適用于多種領(lǐng)域和模塊,為電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定可靠的性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12