--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介:
HUF76429D3ST-VB是VBsemi品牌的N溝道MOSFET,具有60V的額定電壓和45A的額定電流。該器件采用TO252封裝,適用于各種功率電子應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說明:
- 額定電壓(VDS):60V
- 額定電流(ID):45A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):在VGS=10V時為24mΩ,在VGS=20V時為24mΩ
- 閾值電壓(Vth):1.8V

應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. 電源管理模塊:HUF76429D3ST-VB的高電流和低導(dǎo)通電阻使其非常適用于各種電源管理模塊,如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器。
2. 電機驅(qū)動器:可用于驅(qū)動各種類型的電機,包括直流電機和步進(jìn)電機,在工業(yè)自動化和機器人領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
3. 電池保護模塊:在電池管理系統(tǒng)中,該器件可用于電池保護模塊,確保電池在充放電過程中處于安全狀態(tài)。
4. 照明應(yīng)用:HUF76429D3ST-VB可用于LED驅(qū)動器和其他照明應(yīng)用,以實現(xiàn)高效能的功率控制。
綜上所述,HUF76429D3ST-VB在功率電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用中都有廣泛的適用性,包括電源管理、電機驅(qū)動、電池保護和照明應(yīng)用等領(lǐng)域,為這些領(lǐng)域提供可靠的性能和效率。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12