--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
IPD800N06N-G-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應(yīng)晶體管,具有高性能和可靠性。這款晶體管適用于多種高功率應(yīng)用場景,提供穩(wěn)定的功率控制和效率。
### 參數(shù)說明:
- **電壓額定值(VDS):** 60V
- **電流額定值(ID):** 45A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在VGS=10V時(shí),為24mΩ;在VGS=20V時(shí),同樣為24mΩ。
- **閾值電壓(Vth):** 1.8V

### 適用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理系統(tǒng):** IPD800N06N-G-VB可廣泛應(yīng)用于電源管理模塊中,包括開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電電路。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻確保高效的電能轉(zhuǎn)換和傳輸,適用于各種功率需求的電源系統(tǒng)。
2. **電動工具和家用電器:** 在電動工具和家用電器中,IPD800N06N-G-VB可用于電機(jī)驅(qū)動器、電源開關(guān)和電源管理模塊。其高性能和可靠性使其成為提供穩(wěn)定功率輸出的理想選擇,滿足各種家用和工業(yè)應(yīng)用的需求。
3. **汽車電子系統(tǒng):** 在汽車電子系統(tǒng)中,IPD800N06N-G-VB可用于發(fā)動機(jī)控制單元、車載充電器和電動汽車控制器。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠應(yīng)對汽車環(huán)境中的高壓和高溫,并提供可靠的功率控制,促進(jìn)汽車電氣化和智能化發(fā)展。
4. **工業(yè)自動化和電力電子:** IPD800N06N-G-VB適用于工業(yè)自動化設(shè)備和電力電子模塊,包括開關(guān)電源、逆變器和功率放大器。其高性能和穩(wěn)定性使其成為工業(yè)領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制和高效能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件,推動工業(yè)生產(chǎn)的智能化和自動化進(jìn)程。
綜上所述,IPD800N06N-G-VB是一款性能卓越的N溝道場效應(yīng)晶體管,適用于多種高功率應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源管理、電動工具、汽車電子和工業(yè)自動化。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛