--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
一、產(chǎn)品簡介:
IRFTS8342PBF-VB是一款N溝道場效應(yīng)管,由品牌VBsemi生產(chǎn)。該器件具有30V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大6A的漏極電流。其導(dǎo)通狀態(tài)下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為30mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時均為該數(shù)值,門源閾值電壓(Vth)為1.2V。該器件采用SOT23-6封裝。
二、詳細(xì)參數(shù)說明:
- 溝道類型:N溝道
- 額定漏極-源極電壓(VDS):30V
- 最大漏極電流(ID):6A
- 導(dǎo)通狀態(tài)下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V,VGS=20V
- 門源閾值電壓(Vth):1.2V
- 封裝類型:SOT23-6

三、適用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **電源管理**:IRFTS8342PBF-VB適用于小功率電源管理模塊,如電池管理系統(tǒng)、電源開關(guān)等,其低漏極-源極電壓和漏極電流額定值適用于小功率設(shè)備的需求。
2. **移動設(shè)備**:在移動設(shè)備領(lǐng)域,這種器件可以用于設(shè)計手機(jī)充電管理模塊、移動電源等,因為它能夠承受較低的電壓和電流,同時具有較低的導(dǎo)通電阻,能夠提高效率和性能。
3. **汽車電子**:IRFTS8342PBF-VB適用于汽車電子領(lǐng)域的小功率電子設(shè)備,如車載充電器、車內(nèi)電源管理模塊等,因為它能夠提供足夠的電流和電壓,同時具有較低的導(dǎo)通電阻,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12