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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J207-VB一款P—Channel溝道SOT89-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: J207-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT89-3封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介:
J207-VB 是 VBsemi 公司推出的 P-Channel 溝道場效應晶體管,具有-30V的漏極-源極電壓承受能力和-5.8A的漏極電流。該器件采用 SOT89-3 封裝。J207-VB 在低壓功率控制電路中具有優(yōu)異的性能,適用于各種電子設備的設計。

詳細參數(shù)說明:
- 溝道類型:P-Channel
- 最大漏極-源極電壓:-30V
- 最大漏極電流:-5.8A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):50mΩ(在VGS=10V,VGS=20V時)
- 閾值電壓 (Vth):-0.6V 至 -2V

應用領域和模塊示例:

1. 低功率電源管理模塊:J207-VB 適用于各種低功率電源管理模塊,如移動設備充電管理、電池保護電路等。其特性使其在這些應用中能夠提供高效率和可靠性。

2. 信號開關:在各種信號開關電路中,J207-VB 可以作為信號開關器件使用。其低漏極電阻和低閾值電壓可以確保在低功率條件下提供穩(wěn)定的信號開關功能。

3. 便攜式電子設備:J207-VB 可以應用于便攜式電子設備,如智能手機、平板電腦等的電源管理和信號控制電路中,以實現(xiàn)高效率和長續(xù)航時間。

4. 電池保護電路:在電池保護電路中,J207-VB 可以作為過充、過放保護器件使用。其性能能夠確保電池在充放電過程中安全可靠。

通過以上示例,可以看出 J207-VB 在各種低功率電子設備和電路中都具有廣泛的應用潛力,為設計者提供了靈活可靠的解決方案。

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