--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
NDC631N-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應(yīng)管,絲印標(biāo)識為VB7322。該器件采用SOT23-6封裝,具有30V的漏極-源極電壓承受能力,6A的漏極電流承受能力,以及RDS(ON)為30mΩ@VGS=10V時的低導(dǎo)通電阻。閾值電壓(Vth)為1.2V。
以下是該產(chǎn)品的詳細參數(shù)說明:
- **型號:** NDC631N-VB
- **品牌:** VBsemi
- **器件類型:** N溝道場效應(yīng)管
- **絲?。?* VB7322
- **封裝:** SOT23-6
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **漏極電流(ID):** 6A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS=10V
- **閾值電壓(Vth):** 1.2V

這款器件適用于多種領(lǐng)域和模塊,以下是一些示例:
1. **電源管理:** NDC631N-VB可用于電源管理模塊中的功率開關(guān)和電流調(diào)節(jié)器。其高漏極電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器等電源管理應(yīng)用。
2. **電池保護:** 在便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中,NDC631N-VB可以用于電池保護電路,包括過充、過放和短路保護。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流承受能力有助于確保電池系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
3. **馬達控制:** 該器件適用于控制各種類型的直流馬達,例如在家用電器、工業(yè)自動化和機器人系統(tǒng)中。其高漏極電流承受能力和低導(dǎo)通電阻有助于實現(xiàn)高效的馬達控制和能量轉(zhuǎn)換。
4. **照明系統(tǒng):** 在LED照明系統(tǒng)中,NDC631N-VB可用于LED驅(qū)動器和調(diào)光器。其低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力有助于提高LED照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,同時實現(xiàn)精確的亮度調(diào)節(jié)。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12