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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NP32N055IHE-VB一種N—Channel溝道TO252封裝MOS管

型號(hào): NP32N055IHE-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NP32N055IHE-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道MOSFET,具有60V的漏極-源極電壓承受能力,最大漏極電流為45A。其特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和1.8V的閾值電壓(Vth),適用于高電壓、高電流的應(yīng)用場(chǎng)景。封裝采用TO252,具有良好的散熱性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **N-Channel溝道**: 表明器件為N溝道MOSFET,適用于高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 60V,表示器件可承受的最大工作電壓。
- **漏極電流(ID)**: 最大45A,表示器件在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠通過(guò)的最大電流。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 在VGS=10V時(shí)為24mΩ,在VGS=20V時(shí)為24mΩ,說(shuō)明了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻特性。
- **閾值電壓(Vth)**: 1.8V,指示了器件開(kāi)始導(dǎo)通的門(mén)極電壓。
- **封裝**: TO252,適用于中等功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和焊接性能。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: NP32N055IHE-VB可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,如直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等,用于電機(jī)的高效開(kāi)關(guān)控制。
2. **電源開(kāi)關(guān)**: 在開(kāi)關(guān)電源模塊中,該器件可用于實(shí)現(xiàn)高效的開(kāi)關(guān)控制,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC變換器。
3. **電動(dòng)工具**: 適用于電動(dòng)工具,如電鉆、電鋸等,用作開(kāi)關(guān)控制器,提供高功率輸出。
4. **電池充放電保護(hù)**: 在電池管理系統(tǒng)中,可用作充放電保護(hù)開(kāi)關(guān),確保電池充放電時(shí)的安全和穩(wěn)定性。

以上示例說(shuō)明了NP32N055IHE-VB在高功率開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和電源管理等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其高電壓、高電流特性使其成為需要承受大電流負(fù)載的電路設(shè)計(jì)的理想選擇。

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