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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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P5803NAG-VB一種2個N+P—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號: P5803NAG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**P5803NAG-VB**是VBsemi品牌的雙通道(N+P)場效應(yīng)管。絲印標(biāo)識為VB5222,封裝為SOT23-6。該器件具有以下主要參數(shù):

- **漏極-源極電壓(VDS):** ±20V
- **漏極電流(ID):** 7A(N-Channel) / -4.5A(P-Channel)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 20mΩ @ VGS=4.5V(N-Channel) / 70mΩ @ VGS=4.5V(P-Channel)
- **閾值電壓(Vth):** 0.71V(N-Channel) / -0.81V(P-Channel)

**產(chǎn)品簡介:**

P5803NAG-VB是一款高性能的雙通道(N+P)場效應(yīng)管,可用于多種功率電子應(yīng)用。其結(jié)合了N溝道和P溝道的特性,具有高功率密度和靈活性。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **型號:** P5803NAG-VB
- **品牌:** VBsemi
- **器件類型:** 雙通道(N+P)場效應(yīng)管
- **絲?。?* VB5222
- **封裝:** SOT23-6
- **N-Channel參數(shù):**
 - **漏極-源極電壓(VDS):** ±20V
 - **漏極電流(ID):** 7A
 - **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 20mΩ @ VGS=4.5V
 - **閾值電壓(Vth):** 0.71V
- **P-Channel參數(shù):**
 - **漏極-源極電壓(VDS):** ±20V
 - **漏極電流(ID):** -4.5A
 - **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS=4.5V
 - **閾值電壓(Vth):** -0.81V

**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源管理:** P5803NAG-VB可用于多種電源管理模塊,如開關(guān)模式電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其雙通道設(shè)計和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)效率和功率密度。

2. **電池保護(hù):** 在電池保護(hù)電路中,該器件可用于控制電池充放電過程,保護(hù)電池免受過載和短路的影響。其雙通道設(shè)計使其適用于需要同時保護(hù)正負(fù)電壓的電路設(shè)計。

3. **汽車電子系統(tǒng):** P5803NAG-VB適用于汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和功率控制模塊。例如,用于汽車發(fā)動機(jī)控制單元(ECU)中的點(diǎn)火系統(tǒng)和燃油噴射系統(tǒng)中的功率開關(guān)。

4. **LED照明:** 該器件可用于LED驅(qū)動器和照明系統(tǒng)中的負(fù)載控制。其雙通道設(shè)計和高電流承受能力有助于提高LED照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

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