91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

SI3460DV-T1-GE3-VB一種N—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號(hào): SI3460DV-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是SI3460DV-T1-GE3-VB的產(chǎn)品信息:

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
SI3460DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生產(chǎn)的N-Channel溝道功率MOSFET,采用SOT23-6封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高電流承受能力和優(yōu)秀的電壓控制特性,適用于各種低壓、高電流的功率管理和開關(guān)電路設(shè)計(jì)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **電壓額定值 (VDS):** 30V
- **電流額定值 (ID):** 6A
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS = 10V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.2V
- **最大柵極—源極電壓 (VGS(max)):** ±20V

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理:** SI3460DV-T1-GE3-VB可用于電源開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器等電源管理模塊中,適用于便攜式電子產(chǎn)品、無線通信設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)控制模塊中,SI3460DV-T1-GE3-VB可用于直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和無刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器,適用于家用電器、汽車電子和機(jī)器人技術(shù)等領(lǐng)域。

3. **LED照明:** 用于LED驅(qū)動(dòng)器和照明控制系統(tǒng)中,SI3460DV-T1-GE3-VB可實(shí)現(xiàn)LED燈帶、車燈和戶外照明的驅(qū)動(dòng)控制,提供高效能的照明解決方案。

4. **電池保護(hù):** 適用于鋰電池組件和電池保護(hù)電路設(shè)計(jì),SI3460DV-T1-GE3-VB可實(shí)現(xiàn)電池充放電控制和保護(hù)功能,提高電池組件的安全性和可靠性。

5. **功率放大器:** 在功率放大器和音頻放大器電路中,SI3460DV-T1-GE3-VB可用作輸出級(jí)功率管,實(shí)現(xiàn)高保真音頻放大和功率驅(qū)動(dòng)功能。

綜上所述,SI3460DV-T1-GE3-VB適用于各種需要N-Channel溝道功率MOSFET的應(yīng)用,包括電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明、電池保護(hù)和功率放大器等領(lǐng)域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    536瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    459瀏覽量