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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI3586DV-T1-GE3-VB一種2個(gè)N+P—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號(hào): SI3586DV-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個(gè)N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
SI3586DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的雙N+P-Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),具有兩個(gè)N溝道和兩個(gè)P溝道。其額定電壓為±20V,N溝道最大額定電流為7A,P溝道最大額定電流為-4.5A。在4.5V的門(mén)源電壓下,N溝道的導(dǎo)通電阻為20mΩ,P溝道的導(dǎo)通電阻為70mΩ。器件采用SOT23-6封裝,適用于各種低功率應(yīng)用場(chǎng)景。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- 通道類(lèi)型:2個(gè)N+P-Channel溝道
- 額定電壓(VDS):±20V
- N溝道額定電流(ID):最大7A
- P溝道額定電流(ID):最大-4.5A
- N溝道導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):20mΩ @ VGS=4.5V
- P溝道導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):70mΩ @ VGS=4.5V
- 門(mén)源電壓(VGS):20V
- 門(mén)源閾值電壓(Vth):0.71V (N溝道) / -0.81V (P溝道)
- 封裝類(lèi)型:SOT23-6

**適用領(lǐng)域和模塊:**
1. **電源管理**:SI3586DV-T1-GE3-VB可用于低功率電源管理模塊中,如電源開(kāi)關(guān)和電源選擇器。其雙N+P-Channel溝道結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)對(duì)電源的精確控制和切換,適用于便攜設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。

2. **電流控制**:在電流控制模塊中,該器件可用于精確控制電流的流向和大小,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、LED照明系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)控制器。其雙通道設(shè)計(jì)使其適用于各種電流控制場(chǎng)景,提供高效的電流調(diào)節(jié)和保護(hù)功能。

3. **信號(hào)開(kāi)關(guān)**:SI3586DV-T1-GE3-VB可用作信號(hào)開(kāi)關(guān),用于精確控制和切換信號(hào)線路。在通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,其雙通道溝道設(shè)計(jì)可幫助實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸和穩(wěn)定的信號(hào)傳輸。

4. **電源逆變器**:該器件可用于低功率電源逆變器模塊,如太陽(yáng)能逆變器、UPS系統(tǒng)和電動(dòng)車(chē)輛逆變器。其雙通道溝道設(shè)計(jì)和高電壓承受能力可實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電壓,提高電源逆變器的性能和可靠性。

綜上所述,SI3586DV-T1-GE3-VB適用于電源管理、電流控制、信號(hào)開(kāi)關(guān)和電源逆變器等領(lǐng)域的各種模塊和設(shè)備,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和精確的電流控制功能。

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