91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

SIHFL9014T-E3-VB一款P—Channel溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): SIHFL9014T-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT223封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi P-Channel MOSFET SIHFL9014T-E3-VB**

- **絲印:** VBJ2658
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - P—Channel溝道
 - 額定電壓:-60V
 - 額定電流:-6.5A
 - 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):58mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓(Vth):-1V 至 -3V
- **封裝:** SOT223

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

SIHFL9014T-E3-VB是一款P-Channel MOSFET,由VBsemi生產(chǎn)。該型號(hào)具有低電壓和高電流的特點(diǎn),適用于需要反向極性電壓的電路設(shè)計(jì)。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

1. **額定電壓(VDS):** -60V的額定電壓使得該MOSFET適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和反向電源等應(yīng)用場(chǎng)景。

2. **額定電流(ID):** -6.5A的額定電流可滿足中等到大功率負(fù)載的需求,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源開(kāi)關(guān)等。

3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在10V的柵極-源極電壓下,導(dǎo)通電阻為58mΩ,提供較低的導(dǎo)通損耗,有助于降低功率消耗和提高效率。

4. **閾值電壓(Vth):** 閾值電壓范圍從-1V至-3V,使得器件易于控制,適用于各種電路設(shè)計(jì)。

**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源管理:** 用于反向電源開(kāi)關(guān)、電源逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
 
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:** 適用于小型到中等功率的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)控制模塊。

3. **負(fù)載開(kāi)關(guān):** 用于負(fù)載開(kāi)關(guān)模塊和電源反向電路等。

綜上所述,SIHFL9014T-E3-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,適用于各種需要反向極性電壓和中等功率的電路設(shè)計(jì)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    536瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    459瀏覽量