91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

SUD50N06-36-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): SUD50N06-36-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

SUD50N06-36-VB是VBsemi品牌生產(chǎn)的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流承受能力。該器件適用于各種功率電子應(yīng)用,提供可靠的功率控制解決方案。其絲印為VBE1638,封裝為TO252。

### 參數(shù)說明:

- **漏極-源極電壓(VDS)**:60V
- **漏極電流(ID)**:45A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:24mΩ @ VGS=10V
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **封裝類型**:TO252

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

1. **漏極-源極電壓(VDS)**:指定了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠承受的最大電壓。對(duì)于SUD50N06-36-VB,這個(gè)值為60V。
 
2. **漏極電流(ID)**:定義了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠通過的最大電流。該型號(hào)的SUD50N06-36-VB可承受高達(dá)45A的漏極電流。

3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:描述了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻大小,直接影響功率損耗和效率。在VGS=10V時(shí),SUD50N06-36-VB的導(dǎo)通電阻為24mΩ。

4. **閾值電壓(Vth)**:指定了溝道導(dǎo)通所需的門極-源極電壓。SUD50N06-36-VB的閾值電壓為1.8V。

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源管理模塊**:SUD50N06-36-VB可用于開關(guān)電源和逆變器模塊,以實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié)。
 
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,該器件可以應(yīng)用于電機(jī)控制模塊,確保電機(jī)運(yùn)行的穩(wěn)定性和效率。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池充放電控制和保護(hù)中,SUD50N06-36-VB可以確保電池操作在安全的電流和電壓范圍內(nèi)。

4. **汽車電子**:適用于汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)汽車的電池管理和驅(qū)動(dòng)控制,以提高車輛的性能和效率。

5. **LED照明**:在LED驅(qū)動(dòng)器中,SUD50N06-36-VB可用于提供穩(wěn)定的電流,并降低功率損耗,提高LED燈具的亮度和壽命。

綜上所述,SUD50N06-36-VB在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理、汽車電子和LED照明等領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    536瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    462瀏覽量