--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
**產(chǎn)品型號:TPC6007-H-VB**
**絲印:VB7322**
**品牌:VBsemi**
TPC6007-H-VB 是 VBsemi 公司推出的一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件具備高達(dá) 30V 的漏源電壓和 6A 的連續(xù)漏極電流能力。其典型導(dǎo)通電阻為 30mΩ@VGS=10V,具有低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)。該 MOSFET 封裝為 SOT23-6,非常適合于空間受限的應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 說明 |
|--------------------------|----------------------------------------|
| **產(chǎn)品型號** | TPC6007-H-VB |
| **品牌** | VBsemi |
| **類型** | N 溝道 MOSFET |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30V |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)** | 6A |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 30mΩ @ VGS = 10V |
| **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.2V |
| **封裝** | SOT23-6 |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **便攜式電子設(shè)備:**
- 由于 TPC6007-H-VB 的小封裝和低導(dǎo)通電阻特點(diǎn),使其非常適合于智能手機(jī)、平板電腦和便攜式游戲機(jī)等便攜式電子設(shè)備。這些設(shè)備通常要求高效能和小尺寸的開關(guān)元件,以節(jié)省空間并延長電池壽命。
2. **電源管理模塊:**
- 在電源管理模塊中,TPC6007-H-VB 可以用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。其高效能和低導(dǎo)通損耗有助于提高整體系統(tǒng)效率,減少功率損失,適用于筆記本電腦、臺式計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的電源管理。
3. **LED 驅(qū)動:**
- TPC6007-H-VB 適用于 LED 驅(qū)動電路,特別是在需要高效開關(guān)和低熱量輸出的應(yīng)用中。該器件可用于LED 照明和顯示器驅(qū)動中,確保穩(wěn)定的電流供應(yīng)和高效能。
4. **汽車電子:**
- 在汽車電子領(lǐng)域,這款 MOSFET 可用于電子控制單元(ECU)、傳感器接口和小型電機(jī)驅(qū)動。其耐高壓和高電流特性能夠滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
**模塊舉例:**
- **便攜式充電器:**
TPC6007-H-VB 可以用在便攜式充電器的電源管理電路中,作為開關(guān)元件,提供高效的電力轉(zhuǎn)換和管理,提高充電效率,減少熱量產(chǎn)生。
- **電池保護(hù)電路:**
在電池保護(hù)電路中,該 MOSFET 可作為保護(hù)開關(guān),防止電池過充或過放,確保電池的安全和壽命。
- **電動玩具:**
在電動玩具中,TPC6007-H-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動和電源管理模塊,提供穩(wěn)定的電源控制和高效的電力傳輸。
- **便攜式音響設(shè)備:**
TPC6007-H-VB 可以用于便攜式音響設(shè)備的電源模塊中,確保設(shè)備在不同電壓條件下的穩(wěn)定工作,并提高音響設(shè)備的整體效率。
通過以上描述,可以看出 TPC6007-H-VB 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,其高效、低損耗和小封裝的特點(diǎn)使其在各種便攜式和電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它