**產(chǎn)品簡介：**
VBsemi的04CN10N-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用槽溝技術，適用于各種應用。該器件具有低導通電阻、高漏極電流和低門極電壓等特點，適用于要求高效率和低功率損耗的電源、DC-DC轉換器、電機控制、LED照明等應用。

**詳細參數(shù)說明：**
- **型號：** 04CN10N-VB
- **封裝：** TO263
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 100V
- **門源電壓（VGS）：** 20V（±）
- **閾值電壓（Vth）：** 3V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 140A
- **技術：** 槽溝技術

**應用示例：**
- **電源：** 該MOSFET可用于高效率的開關模式電源中，以穩(wěn)定和調(diào)節(jié)電壓。
- **電機控制：** 可用于電機控制電路，以調(diào)節(jié)和控制電機的轉速。
- **LED照明：** 適用于LED照明應用中，可用于調(diào)節(jié)和控制LED燈的亮度。
- **DC-DC轉換器：** 用于DC-DC轉換器電路中，以實現(xiàn)不同電壓級之間的高效轉換。

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