--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
VBsemi的050N06N-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO263封裝。該器件工作電壓(VDS)為60V,最大允許門源電壓(VGS)為20V(絕對值),閾值電壓(Vth)為3V。在VGS為10V時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為4mΩ,最大漏極電流(ID)為150A。采用了Trench工藝,具有優(yōu)異的性能和可靠性。
### 參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO263
- **通道類型**:單N溝道
- **工作電壓(VDS)**:60V
- **最大允許門源電壓(VGS)**:20V(絕對值)
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:150A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **電源模塊**:050N06N-VB適用于高功率電源模塊,如開關(guān)電源和逆變器,因為其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力使其能夠處理高功率應(yīng)用。
2. **電動工具**:由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻,這種MOSFET也適用于電動工具,如電動鉆和電動螺絲刀,能夠提供高效的電力輸出。
3. **電動車輛**:在電動汽車和電動自行車等電動車輛中,050N06N-VB可以作為電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,確保高效能量轉(zhuǎn)換和高性能。
4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)控制領(lǐng)域,這種MOSFET可用于各種需要高性能和高可靠性的應(yīng)用,如變頻器,機器人控制等。
5. **照明**:在LED照明和其他高功率照明系統(tǒng)中,這種MOSFET可以用作電源開關(guān),提供高效的電力控制。
這些只是一些示例,實際應(yīng)用取決于具體設(shè)計和系統(tǒng)要求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12