--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 052N04N-VB
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
以下是VBsemi公司的MOSFET產(chǎn)品052N04N-VB的詳細信息:
1. 產(chǎn)品簡介:
052N04N-VB是一款單N溝道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技術制造,適用于各種領域和模塊的電路設計。其主要特點包括40V的漏極-源極電壓(VDS)、20V的柵極-源極電壓(VGS)、2.5V的閾值電壓(Vth)、6mΩ@VGS=4.5V和5mΩ@VGS=10V的導通電阻(RDS(ON))、以及100A的漏極電流(ID)。
2. 參數(shù)說明:
- 型號:052N04N-VB
- 封裝:TO263
- 極性:N溝道
- 漏極-源極電壓(VDS):40V
- 柵極-源極電壓(VGS):±20V
- 閾值電壓(Vth):2.5V
- 導通電阻(RDS(ON)):6mΩ@VGS=4.5V、5mΩ@VGS=10V
- 漏極電流(ID):100A
- 技術:Trench

3. 應用舉例:
052N04N-VB適用于多種領域和模塊,例如:
- 電源管理:適用于低電壓和高電流的電源開關和穩(wěn)壓器,特別是在高效DC-DC轉換器中。
- 電機驅動:用于電動工具、家用電器和工業(yè)機械的電機控制,提供可靠的高電流驅動能力。
- 車載電子:適用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅動控制,提升系統(tǒng)的能效和可靠性。
- 工業(yè)控制:用于工業(yè)自動化和機器人控制等領域,適應苛刻的工作環(huán)境和高電流要求。
以上是052N04N-VB MOSFET產(chǎn)品的詳細信息及其適用領域和模塊的舉例說明。
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