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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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088N03M-VB一種N-Channel溝道DFN8(3X3)封裝MOS管

型號: 088N03M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 088N03M-VB 產(chǎn)品簡介

**型號**: 088N03M-VB  
**封裝**: DFN8(3X3)  
**配置**: 單一N溝道  
**技術(shù)**: Trench

088N03M-VB 是一款低壓N溝道MOSFET,具有30V的漏源電壓(VDS)和60A的連續(xù)漏極電流(ID)。該器件采用了Trench工藝,具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)特性。其門極閾值電壓(Vth)為1.7V,適合用于低壓高電流應(yīng)用。

### 088N03M-VB 參數(shù)說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 5mΩ @ VGS=4.5V
 - 3.9mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 60A
- **脈沖漏極電流 (IDM)**: 240A
- **功耗 (PD)**: 150W
- **工作溫度范圍 (Tj)**: -55°C ~ 150°C
- **封裝類型**: DFN8(3X3)
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**電源管理**
088N03M-VB 可用于低壓高電流的電源管理系統(tǒng),如電源開關(guān)和穩(wěn)壓器。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能夠提供高效的電源管理功能。

**電機驅(qū)動**
在需要高性能電機驅(qū)動的應(yīng)用中,如電動工具和電動汽車中,088N03M-VB 可用于控制電機的啟停和速度調(diào)節(jié),確保電機運行穩(wěn)定。

**充電設(shè)備**
對于需要高速充電的設(shè)備,如充電寶和移動電源,該MOSFET可以用作開關(guān)元件,提高充電效率和速度。

**DC-DC轉(zhuǎn)換器**
在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,088N03M-VB 可用于實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和功率管理,提供穩(wěn)定的輸出電壓和電流。

**LED驅(qū)動器**
在需要高亮度LED的應(yīng)用,如舞臺燈光和車燈系統(tǒng),088N03M-VB 可用于驅(qū)動LED,提供穩(wěn)定的電流輸出。

通過以上示例,可以看出088N03M-VB 在低壓高電流應(yīng)用中具有廣泛的適用性,能夠提供可靠的性能和穩(wěn)定的工作。

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