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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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08P06P-VB TO263一種P-Channel溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): 08P06P-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

08P06P-VB是一款TO263封裝的單路P溝道MOSFET。它的主要特性包括-60V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS,正負(fù)值),-1.7V的閾值電壓(Vth),在VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻為77mΩ(RDS(ON)),在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻為64mΩ(RDS(ON)),以及-30A的漏極電流(ID)。該產(chǎn)品采用槽溝道(Trench)技術(shù)制造。

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介**
08P06P-VB是一款高性能P溝道MOSFET,適用于需要負(fù)電壓和大電流的應(yīng)用場(chǎng)合。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流使其成為高效能電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**
- 封裝:TO263
- 極性:P溝道
- 漏極-源極電壓(VDS):-60V
- 柵極-源極電壓(VGS):±20V
- 閾值電壓(Vth):-1.7V
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):77mΩ @ VGS=4.5V,64mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流(ID):-30A
- 技術(shù):槽溝道(Trench)

**適用領(lǐng)域和模塊**
- 電源管理:08P06P-VB適用于需要負(fù)電壓和高效率的電源管理,例如電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)。
- 逆變器:在需要負(fù)電壓開(kāi)關(guān)的逆變器中,這款MOSFET可以用作逆變器的關(guān)鍵元件。
- 電源逆變器:對(duì)于需要高效率的電源逆變器,08P06P-VB可以用作逆變器的開(kāi)關(guān)管。
- 電池保護(hù):在需要對(duì)電池進(jìn)行保護(hù)的場(chǎng)合,這款MOSFET可以用于電池保護(hù)電路中。

這些只是一些例子,實(shí)際上,08P06P-VB還可以用于許多其他領(lǐng)域和模塊,具體取決于應(yīng)用的要求和設(shè)計(jì)的需要。

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