91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

0908NS-VB一種N-Channel溝道DFN8(5X6)封裝MOS管

型號(hào): 0908NS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
0908NS-VB 是一款單路 N 溝道 MOSFET,采用了槽溝工藝(Trench Technology)。它具有30V 的漏極-源極電壓(VDS),20V 的門極-源極電壓(VGS,±V),1.7V 的門極閾值電壓(Vth)。在 VGS=4.5V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為9mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為7mΩ。該器件能夠提供最大80A 的漏極電流(ID),并采用 DFN8(5X6) 封裝。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: 0908NS-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)
- **結(jié)構(gòu)**: 單路 N 溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 30V
- **VGS (門極-源極電壓)**: 20V(±V)
- **Vth (門極閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 80A
- **工藝**: 槽溝工藝(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**: 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻,0908NS-VB 可以用于高效能電源管理模塊中,如電源開關(guān)和 DC-DC 變換器。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電機(jī)控制領(lǐng)域,該器件可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,控制電機(jī)的啟停和速度。
3. **汽車電子**: 在汽車電子領(lǐng)域,0908NS-VB 可以應(yīng)用于車載電子系統(tǒng)中,如車燈控制、電動(dòng)窗控制等。

這些示例僅代表了部分應(yīng)用場(chǎng)景,實(shí)際上,0908NS-VB 還可以應(yīng)用于其他需要高電流、低導(dǎo)通電阻的領(lǐng)域和模塊中。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    536瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    462瀏覽量