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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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100N03-VB一種N-Channel溝道TO220封裝MOS管

型號(hào): 100N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

100N03-VB是一款單N溝道MOSFET,具有以下主要參數(shù):

- VDS(漏極-源極電壓):30V
- VGS(門極-源極電壓):20V(±)
- Vth(門極閾值電壓):1.7V
- RDS(ON)(導(dǎo)通時(shí)的漏極-源極電阻):4mΩ@VGS=4.5V,3mΩ@VGS=10V
- ID(漏極電流):120A
- 技術(shù)特點(diǎn):溝道工藝

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
100N03-VB是一款高性能、高可靠性的單N溝道MOSFET。采用了溝道工藝技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流,適用于各種高功率要求的場(chǎng)合。

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
1. VDS(漏極-源極電壓):30V,可以適應(yīng)較高的電壓環(huán)境。
2. VGS(門極-源極電壓):20V(±),可靠的門控電壓范圍。
3. Vth(門極閾值電壓):1.7V,可靠的門控特性。
4. RDS(ON)(導(dǎo)通時(shí)的漏極-源極電阻):4mΩ@VGS=4.5V,3mΩ@VGS=10V,極低導(dǎo)通電阻,有利于減小功耗和提高效率。
5. ID(漏極電流):120A,適用于高功率要求的場(chǎng)合。
6. 技術(shù)特點(diǎn):溝道工藝,提供了較高的性能和可靠性。

應(yīng)用示例:
100N03-VB可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:
- 電源模塊:適用于各種高功率電源開(kāi)關(guān)模塊。
- 電動(dòng)汽車充電樁:可用于電動(dòng)汽車充電樁中的高功率開(kāi)關(guān)模塊。
- 工業(yè)控制:適用于工業(yè)控制設(shè)備中的高功率電源開(kāi)關(guān)等模塊。
- 電動(dòng)工具:適用于各種高功率電動(dòng)工具中的功率開(kāi)關(guān)模塊。
- 高性能電子設(shè)備:適用于高性能電子設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)模塊。

這些示例表明,100N03-VB在高功率、高性能要求的場(chǎng)合具有廣泛的應(yīng)用前景。

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