--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 10N50L-TA3-T-VB 產(chǎn)品簡介:
10N50L-TA3-T-VB 是一款單路 N-溝道場效應(yīng)管,采用 TO220 封裝,主要特點包括:
- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V,適用于高壓應(yīng)用。
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V,具有較高的柵極工作電壓范圍。
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V,適用于邏輯電平控制。
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:500mΩ@VGS=10V,低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱量。
- **ID(漏極電流)**:9A,能夠承受一定的電流負(fù)載。
- **Technology(技術(shù))**:SJ_Multi-EPI,采用多重外延結(jié)構(gòu)技術(shù),具有較好的性能和可靠性。
### 10N50L-TA3-T-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝**:TO220
- **通道**:單路 N-溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:500mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流)**:9A
- **Technology(技術(shù))**:SJ_Multi-EPI

### 10N50L-TA3-T-VB 在各領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用示例:
1. **電源管理模塊**:由于其高壓和低導(dǎo)通電阻特性,10N50L-TA3-T-VB 可以用作電源管理模塊中的開關(guān)器件,適用于高壓和高功率應(yīng)用。
2. **電動車充電樁**:在電動車充電樁中,10N50L-TA3-T-VB 可以用作開關(guān)器件,有助于實現(xiàn)高效率和高功率的充電樁。
3. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,10N50L-TA3-T-VB 可以用作開關(guān)器件,適用于各種高壓和高功率的工業(yè)電源應(yīng)用場景。
4. **電動工具**:在一些高壓和高功率的電動工具中,10N50L-TA3-T-VB 可以用作驅(qū)動器件,幫助實現(xiàn)高效率和可靠性的工具。
以上是 10N50L-TA3-T-VB 的一些應(yīng)用示例,它的特性使其在高壓和高功率應(yīng)用中都能發(fā)揮重要作用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12