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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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10N60KL-TF3-T-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 10N60KL-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 10N60KL-TF3-T-VB 產(chǎn)品簡介

10N60KL-TF3-T-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝。這款MOSFET具有高耐壓能力,能夠承受650V的漏源極電壓(VDS),適用于高壓應(yīng)用場景。其柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。該器件采用平面工藝技術(shù),提供了830mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V的條件下,同時具備10A的持續(xù)漏極電流(ID)能力,適合用于開關(guān)電源、工業(yè)控制和照明系統(tǒng)等領(lǐng)域。

### 10N60KL-TF3-T-VB 參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱       | 數(shù)值           | 單位          |
| -------------- | -------------- | ------------- |
| 封裝類型       | TO220F         | -             |
| 配置           | 單N溝道        | -             |
| 漏源極電壓 (VDS) | 650            | V             |
| 柵極電壓 (VGS)  | 30(±)        | V             |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5            | V             |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 830           | mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID)  | 10             | A             |
| 技術(shù)           | 平面工藝       | -             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源**:
  10N60KL-TF3-T-VB 適用于開關(guān)電源中的主開關(guān)元件。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠在高效率、高功率密度的開關(guān)電源中提供可靠的性能。例如,在AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用,可以顯著提高能源轉(zhuǎn)換效率。

2. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)控制系統(tǒng)中,10N60KL-TF3-T-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動器、變頻器和PLC等設(shè)備中。其高電流能力和耐高壓特性確保了在嚴(yán)苛環(huán)境中的可靠運(yùn)行,滿足工業(yè)應(yīng)用的高性能需求。

3. **照明系統(tǒng)**:
  這款MOSFET 也適用于LED驅(qū)動器和HID燈的驅(qū)動電路。其優(yōu)異的開關(guān)特性和低損耗使其能夠高效地控制大功率LED和其他照明裝置,延長設(shè)備壽命并提高系統(tǒng)的整體效率。

4. **可再生能源系統(tǒng)**:
  在太陽能逆變器和風(fēng)能轉(zhuǎn)換器等可再生能源應(yīng)用中,10N60KL-TF3-T-VB 可作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件。其高電壓和電流處理能力能夠有效地處理和轉(zhuǎn)換可再生能源輸入,提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

通過以上這些應(yīng)用實(shí)例,10N60KL-TF3-T-VB 展示了其在多個領(lǐng)域中的多功能性和高性能表現(xiàn),成為電力電子設(shè)計中不可或缺的元件之一。

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