--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 10N60L-TF3-T-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
10N60L-TF3-T-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝。這款MOSFET具有650V的漏源極電壓(VDS),能夠承受高壓環(huán)境中的操作。其柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,具備良好的開關(guān)性能。10N60L-TF3-T-VB 在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為830mΩ,能夠提供高達(dá)10A的持續(xù)漏極電流(ID),適用于各種需要高效能和可靠性的電力電子應(yīng)用中。該器件采用平面工藝技術(shù),確保了其優(yōu)異的性能和耐用性。
### 10N60L-TF3-T-VB 參數(shù)說(shuō)明
| 參數(shù)名稱 | 數(shù)值 | 單位 |
| ------------------ | ------------ | ------------- |
| 封裝類型 | TO220F | - |
| 配置 | 單N溝道 | - |
| 漏源極電壓 (VDS) | 650 | V |
| 柵極電壓 (VGS) | 30(±) | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5 | V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 830 | mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 10 | A |
| 技術(shù) | 平面工藝 | - |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **開關(guān)電源**:
10N60L-TF3-T-VB 可用作開關(guān)電源中的主要開關(guān)元件,適用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻特性,使其在高效能、高功率密度的開關(guān)電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色,有助于提升能源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)可靠性。
2. **工業(yè)控制**:
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,10N60L-TF3-T-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、變頻器和可編程邏輯控制器(PLC)等設(shè)備中。其高電流處理能力和耐高壓特性,確保了在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行,滿足工業(yè)應(yīng)用的嚴(yán)苛要求。
3. **照明系統(tǒng)**:
這款MOSFET 非常適合用于LED驅(qū)動(dòng)器和HID燈的驅(qū)動(dòng)電路。它的開關(guān)速度快、損耗低,能夠高效地控制大功率LED和其他照明設(shè)備,從而延長(zhǎng)設(shè)備壽命并提高系統(tǒng)整體效率。
4. **可再生能源系統(tǒng)**:
在太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能轉(zhuǎn)換器等可再生能源應(yīng)用中,10N60L-TF3-T-VB 可作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件。其高電壓和電流處理能力,能夠高效地處理和轉(zhuǎn)換可再生能源輸入,提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,10N60L-TF3-T-VB 展示了其在多個(gè)領(lǐng)域的多功能性和高性能表現(xiàn),是電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的元件之一。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛