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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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10N60L-TF3-T-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 10N60L-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 10N60L-TF3-T-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

10N60L-TF3-T-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝。這款MOSFET具有650V的漏源極電壓(VDS),能夠承受高壓環(huán)境中的操作。其柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,具備良好的開關(guān)性能。10N60L-TF3-T-VB 在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為830mΩ,能夠提供高達(dá)10A的持續(xù)漏極電流(ID),適用于各種需要高效能和可靠性的電力電子應(yīng)用中。該器件采用平面工藝技術(shù),確保了其優(yōu)異的性能和耐用性。

### 10N60L-TF3-T-VB 參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)名稱           | 數(shù)值         | 單位          |
| ------------------ | ------------ | ------------- |
| 封裝類型           | TO220F       | -             |
| 配置               | 單N溝道      | -             |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 650          | V             |
| 柵極電壓 (VGS)     | 30(±)      | V             |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5          | V             |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 830          | mΩ @ VGS=10V  |
| 漏極電流 (ID)      | 10           | A             |
| 技術(shù)               | 平面工藝     | -             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源**:
  10N60L-TF3-T-VB 可用作開關(guān)電源中的主要開關(guān)元件,適用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻特性,使其在高效能、高功率密度的開關(guān)電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色,有助于提升能源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)可靠性。

2. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)控制系統(tǒng)中,10N60L-TF3-T-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、變頻器和可編程邏輯控制器(PLC)等設(shè)備中。其高電流處理能力和耐高壓特性,確保了在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行,滿足工業(yè)應(yīng)用的嚴(yán)苛要求。

3. **照明系統(tǒng)**:
  這款MOSFET 非常適合用于LED驅(qū)動(dòng)器和HID燈的驅(qū)動(dòng)電路。它的開關(guān)速度快、損耗低,能夠高效地控制大功率LED和其他照明設(shè)備,從而延長(zhǎng)設(shè)備壽命并提高系統(tǒng)整體效率。

4. **可再生能源系統(tǒng)**:
  在太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能轉(zhuǎn)換器等可再生能源應(yīng)用中,10N60L-TF3-T-VB 可作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件。其高電壓和電流處理能力,能夠高效地處理和轉(zhuǎn)換可再生能源輸入,提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,10N60L-TF3-T-VB 展示了其在多個(gè)領(lǐng)域的多功能性和高性能表現(xiàn),是電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的元件之一。

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