--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、10N80-VB 產(chǎn)品簡介
10N80-VB 是由 VBsemi 生產(chǎn)的單 N-溝道 MOSFET,封裝類型為 TO220。采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具有較高的耐壓和較低的導(dǎo)通電阻,適用于要求高耐壓和穩(wěn)定性的電源管理和工業(yè)應(yīng)用。
### 二、10N80-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|-------------|--------------|---------------|
| VDS | 800 | V |
| VGS | 30(±) | V |
| Vth | 3.5 | V |
| RDS(ON) | 850 | mΩ |
| ID | 7 | A |
| 技術(shù) | SJ_Multi-EPI | |
| 封裝 | TO220 |
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:10N80-VB 的高耐壓特性使其非常適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中,可以有效地控制高壓電流,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
- **開關(guān)電源**:在開關(guān)電源模塊中,10N80-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力有助于提高電源的效率和可靠性。
2. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
- **PLC(可編程邏輯控制器)**:10N80-VB 可用于 PLC 系統(tǒng)的電源管理模塊,提供可靠的電流控制和開關(guān)功能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。
- **工業(yè)電機(jī)控制**:在工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中,該產(chǎn)品能夠提供高效的電流和電壓控制,提升電機(jī)運行效率和精度。
3. **逆變器和變頻器**:
- **太陽能逆變器**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,10N80-VB 可用于逆變器模塊,通過高效轉(zhuǎn)換直流電為交流電,提升系統(tǒng)的整體效率。
- **風(fēng)力發(fā)電變頻器**:用于風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的變頻器模塊,10N80-VB 能夠高效地控制電流和電壓,確保電能的高效轉(zhuǎn)換和傳輸。
4. **照明系統(tǒng)**:
- **LED 驅(qū)動電路**:10N80-VB 可用于大功率 LED 驅(qū)動電路中,其高效能和穩(wěn)定性有助于提高 LED 照明系統(tǒng)的能效和壽命。
- **照明調(diào)光系統(tǒng)**:在需要調(diào)節(jié)亮度的照明系統(tǒng)中,該產(chǎn)品的快速開關(guān)能力可以實現(xiàn)精確的亮度控制。
通過以上介紹,10N80-VB 展現(xiàn)了其在各種高壓電源管理、工業(yè)控制、照明和新能源應(yīng)用中的廣泛適用性,成為了一個多功能的高壓電力電子元件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12