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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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110N20N-VB TO220一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 110N20N-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 110N20N-VB TO220 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品概述**:
110N20N-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用先進的Trench技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。這款MOSFET封裝在TO220中,適用于需要高效率和高可靠性的各種電源管理應(yīng)用。

**產(chǎn)品特點**:
- **高電壓承受能力**:VDS為200V,適用于高壓應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±20V,提供更大的設(shè)計靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為4V,易于驅(qū)動。
- **超低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為7.6mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **高電流能力**:ID為100A,適用于高電流應(yīng)用。

### 110N20N-VB TO220 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:200V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:4V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:7.6mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電動汽車**:
在電動汽車領(lǐng)域,110N20N-VB可以用作電機驅(qū)動控制器中的功率開關(guān)元件。由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,可以有效減少功率損耗,提高整體系統(tǒng)的效率。

**工業(yè)控制**:
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電源轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器。其高電壓承受能力和高可靠性,適合嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境,提高設(shè)備的穩(wěn)定性和耐用性。

**光伏逆變器**:
在光伏系統(tǒng)中,110N20N-VB可以用作逆變器中的開關(guān)元件,利用其高電壓和高電流能力,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和傳輸,提升光伏系統(tǒng)的整體效率。

**不間斷電源(UPS)**:
該MOSFET適用于UPS系統(tǒng)中的功率管理部分。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力可以顯著提高UPS的效率和可靠性,確保電力供應(yīng)的連續(xù)性。

**開關(guān)電源(SMPS)**:
在開關(guān)電源應(yīng)用中,110N20N-VB憑借其高效率和低損耗特點,可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率,適用于各種電子設(shè)備的電源模塊。

通過以上應(yīng)用實例,可以看出110N20N-VB MOSFET在各個領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足高性能和高可靠性需求。

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