91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

11N52K3-VB TO220F一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 11N52K3-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

11N52K3-VB TO220F 是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),具有550V的漏極-源極電壓(VDS),30V的柵極-源極電壓(VGS,±V),3V的閾值電壓(Vth),260mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),以及18A的漏極電流(ID)。采用了Plannar工藝。適用于高壓、中高功率的應(yīng)用場(chǎng)合。

### 參數(shù)說明:

- **Package:** TO220F
- **Configuration:** Single-N-Channel
- **VDS(漏極-源極電壓):** 550V
- **VGS(柵極-源極電壓,±V):** 30V
- **Vth(閾值電壓):** 3V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 260mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 18A
- **Technology(工藝):** Plannar

### 應(yīng)用示例:

1. **電源逆變器:** 11N52K3-VB TO220F 可用于中高功率的逆變器模塊,如工業(yè)逆變器、太陽(yáng)能逆變器等,實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。

2. **電動(dòng)車充電樁:** 適用于中高功率的電動(dòng)車充電樁中,提供穩(wěn)定的充電電流和電壓。

3. **工業(yè)電源:** 可用于工業(yè)領(lǐng)域中的電源模塊,如工業(yè)電源、UPS等,提供穩(wěn)定可靠的電源輸出。

4. **高壓開關(guān):** 由于其高壓特性,適用于高壓開關(guān)電路,如高壓開關(guān)電源、高壓開關(guān)驅(qū)動(dòng)器等。

5. **醫(yī)療設(shè)備:** 可用于醫(yī)療設(shè)備中的高壓開關(guān)電路,如X射線發(fā)生器、醫(yī)療圖像設(shè)備等。

以上僅為一些典型應(yīng)用示例,實(shí)際應(yīng)用取決于具體設(shè)計(jì)要求和環(huán)境。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    541瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    463瀏覽量