### 13N50H-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

VBsemi的13N50H-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝技術(shù)。這種MOSFET在550V的漏源電壓（VDS）和30V（±V）的柵源電壓（VGS）下工作。其開態(tài)電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為260mΩ。該器件的額定電流（ID）為18A，采用了Plannar技術(shù)，適用于中功率應(yīng)用場景。

### 13N50H-VB MOSFET 參數(shù)說明

- **型號：** 13N50H-VB
- **封裝：** TO220F
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 550V
- **柵源電壓（VGS）：** 30（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3V
- **開態(tài)電阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 260mΩ
- **額定電流（ID）：** 18A
- **技術(shù)：** Plannar

### 13N50H-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器：**
  13N50H-VB MOSFET適用于各種中功率的電源轉(zhuǎn)換器，如LED驅(qū)動器、工業(yè)電源等。其高漏源電壓和額定電流使其成為電源轉(zhuǎn)換器中的理想選擇，提高了轉(zhuǎn)換器的效率和可靠性。

2. **照明應(yīng)用：**
  在照明應(yīng)用中，13N50H-VB MOSFET可用于LED照明驅(qū)動器和電源控制。其高漏源電壓和低導通電阻確保了LED照明系統(tǒng)的高效率和長壽命。

3. **電動汽車充電樁：**
  在電動汽車充電樁中，13N50H-VB MOSFET可用于控制充電樁的電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)。其高漏源電壓和額定電流確保了充電樁的高效率和可靠性。

4. **電動汽車動力逆變器：**
  在電動汽車動力逆變器中，13N50H-VB MOSFET可用于控制電動汽車的動力系統(tǒng)。其高漏源電壓和額定電流使其能夠滿足動力逆變器的功率需求，提高了電動汽車的性能和效率。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的實例，13N50H-VB MOSFET展示了其在中功率需求場景中的適用性，成為各類電子系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。