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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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13N95K3-VB TO220一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 13N95K3-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 13N95K3-VB TO220 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品概述**:
13N95K3-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,適用于超高壓范圍內(nèi)的功率控制應(yīng)用。其封裝為TO220,具有良好的散熱性能和高可靠性。

**產(chǎn)品特點(diǎn)**:
- **超高電壓承受能力**:VDS為900V,適用于超高壓范圍內(nèi)的應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±30V,提供設(shè)計(jì)靈活性。
- **中閾值電壓**:Vth為3.5V,適中的驅(qū)動(dòng)要求。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為750mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **中電流能力**:ID為9A,適用于中等電流應(yīng)用。

### 13N95K3-VB TO220 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:900V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:750mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:9A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電力傳輸**:
13N95K3-VB 可用于超高壓直流輸電系統(tǒng)中的開關(guān)元件,控制電力傳輸和分配。

**電力電子**:
適用于超高壓電力電子設(shè)備中的功率開關(guān)元件,如高壓變頻器、逆變器等領(lǐng)域。

**工業(yè)自動(dòng)化**:
在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,可用于高壓電源開關(guān)和電機(jī)控制,適用于高壓工業(yè)電機(jī)、高壓電源系統(tǒng)等領(lǐng)域。

**醫(yī)療設(shè)備**:
在醫(yī)療設(shè)備中,可用于高壓電源開關(guān)和電機(jī)控制,適用于高壓X射線設(shè)備、醫(yī)療激光設(shè)備等領(lǐng)域。

**電動(dòng)汽車充電樁**:
可用于控制電動(dòng)汽車充電樁的功率開關(guān)元件,適用于超高壓快充電樁、慢充電樁等領(lǐng)域。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,可以看出13N95K3-VB 在超高壓范圍內(nèi)有著廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足超高壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

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