--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**型號(hào):15N20L-TN3-R-VB**
15N20L-TN3-R-VB是VBsemi生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。采用了先進(jìn)的溝道技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于各種需要高效能和高功率處理的應(yīng)用場(chǎng)合。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝:** TO252
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS):** 200V
- **最大柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 55mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID):** 30A
- **技術(shù)類(lèi)型:** 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**電源逆變器**
15N20L-TN3-R-VB 在電源逆變器中扮演著重要角色。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其適用于各種類(lèi)型的逆變器,如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能逆變器。它可以確保電能的高效轉(zhuǎn)換,提高系統(tǒng)的整體性能。
**電動(dòng)汽車(chē)充電樁**
在電動(dòng)汽車(chē)充電樁中,15N20L-TN3-R-VB 可以用作電源開(kāi)關(guān),控制充電樁的輸出電壓和電流。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻保證了充電樁的高效充電,提升用戶(hù)體驗(yàn)。
**電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)**
在電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)(BMS)。其高漏源電壓和電流能力保證了汽車(chē)在啟動(dòng)和運(yùn)行時(shí)的高效能和穩(wěn)定性。
**工業(yè)自動(dòng)化**
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,15N20L-TN3-R-VB 可以應(yīng)用于各種工業(yè)控制系統(tǒng)中,如PLC和機(jī)器人控制系統(tǒng)。其高可靠性和穩(wěn)定性確保了工業(yè)設(shè)備的正常運(yùn)行。
**消費(fèi)電子**
在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,15N20L-TN3-R-VB 適用于高性能電源管理系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高效能和低功耗有助于延長(zhǎng)便攜設(shè)備的電池壽命,提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
以上是15N20L-TN3-R-VB 在各個(gè)領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例,其高性能和可靠性使其成為眾多高功率處理應(yīng)用的首選。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛