91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

16N50C3-VB TO220F一種N-Channel溝道TO220F封裝MOS管

型號(hào): 16N50C3-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 16N50C3-VB TO220F 產(chǎn)品簡介

VBsemi的16N50C3-VB TO220F是一款高性能單N溝道MOSFET,采用Plannar技術(shù),具有較高的漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻。這款MOSFET適用于高壓高功率的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:16N50C3-VB TO220F
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:550V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:260mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:18A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源逆變器**:
  16N50C3-VB TO220F適用于電源逆變器中的高壓開關(guān)模塊。其高漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻能夠確保在高功率轉(zhuǎn)換過程中保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

2. **工業(yè)高壓電源**:
  在工業(yè)設(shè)備和高壓電源系統(tǒng)中,16N50C3-VB TO220F可以用作開關(guān)器件,用于控制和管理電源。其高漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。

3. **光伏逆變器**:
  在光伏逆變器中,16N50C3-VB TO220F可以用于直流到交流電的轉(zhuǎn)換。其高漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻有助于提高逆變器的效率和性能。

4. **電動(dòng)汽車充電樁**:
  在電動(dòng)汽車充電樁中,16N50C3-VB TO220F可用作充電樁控制模塊的功率開關(guān)器件。其高漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻能夠確保充電過程的高效率和穩(wěn)定性。

通過以上應(yīng)用示例可以看出,16N50C3-VB TO220F具有在高壓高功率場景下穩(wěn)定可靠的特點(diǎn),適用于多種電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    542瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    464瀏覽量